Memoria EPROM UV Borrable 2 Mbit (256K x 8 Bits), DIP Cerámico 32 Pines, 150 ns — M27C2001-15F1
Memoria EPROM de alta velocidad, organizada como 262,144 posiciones por 8 bits, ideal para sistemas microprocesados que requieren programas de gran tamaño. El encapsulado cerámico frit-seal incluye una ventana transparente que permite exponer el chip a luz ultravioleta para borrar el patrón de datos y reprogramarlo.
Características principales:
- Tensión de alimentación en lectura: 5V ±10%
- Tiempo de acceso: 150 ns
- Corriente activa: 30 mA a 5 MHz
- Corriente en standby: 100 µA
- Tensión de programación: 12.75V ± 0.25V
- Tiempo de programación: 100 µs por palabra (algoritmo PRESTO II, tiempo típico total de 26.5 segundos)
- Firma electrónica (Electronic Signature) para identificación automática por equipos programadores: código de fabricante 20h, código de dispositivo 61h
- Función de control de dos líneas (Chip Enable / Output Enable) para uso en arreglos de memoria múltiples, minimizando consumo y evitando contención de bus
- Modo standby que reduce la corriente de 30 mA a 100 µA
- Todas las entradas a niveles TTL, excepto VPP y A9 (12V) para lectura de firma electrónica
- Empaques disponibles en versión ecológica (libre de plomo)
Especificaciones físicas y eléctricas:
- Encapsulado: DIP cerámico frit-seal de 32 pines con ventana para borrado UV (FDIP32W)
- Rango de temperatura ambiente (operación): 0°C a +70°C (comercial)
- Temperatura de almacenamiento: -65°C a +150°C
- Tensión de entrada/salida (excepto A9): -2V a 7V
- Borrado mediante exposición a luz ultravioleta de longitud de onda 2537 Å, con dosis mínima de 15 W·seg/cm², durante 15 a 20 minutos, a una distancia máxima de 2.5 cm de la fuente
Ideal para aplicaciones de almacenamiento de firmware/código reprogramable en sistemas microprocesados que demandan alta capacidad de memoria, con posibilidad de reprogramación mediante borrado UV y compatibilidad con equipos programadores estándar del mercado.
