Memoria EPROM UV Borrable 256 Kbit (32K x 8 Bits), DIP Cerámico 28 Pines, 120 ns — AM27C256-120DC
Memoria EPROM CMOS de tecnología ultravioleta borrable, organizada como 32K palabras por 8 bits, con pinout compatible JEDEC. Opera con una única fuente de alimentación de +5V (±10%) y ofrece un modo estático de bajo consumo (standby).
Características principales:
- Tiempo de acceso máximo: 120 ns
- Tiempo de habilitación de Chip Enable (CE#): 120 ns
- Tiempo de habilitación de Output Enable (OE#): 50 ns
- Corriente típica en standby CMOS: 20 µA
- Consumo típico en modo activo: 80 mW; en standby: 100 µW
- Compatibilidad de entrada/salida CMOS y TTL
- Alta inmunidad al ruido
- Protección contra latch-up hasta 100 mA (rango de -1V a Vcc + 1V)
- Programación mediante algoritmo Flashrite, con tiempo típico de programación de 4 segundos (pulsos de 100 µs)
- Programación de bits individual, en bloques o de forma aleatoria
- Modo Autoselect para identificación de fabricante y dispositivo mediante códigos en A9
- Función de "output OR-tying" para conexión de múltiples memorias sin contención de bus
- Borrado mediante exposición a luz ultravioleta (dosis de 15 W·seg/cm² a través de la ventana de cuarzo)
Especificaciones físicas y eléctricas:
- Encapsulado: DIP cerámico de 28 pines con ventana de cuarzo para borrado UV (CDV028)
- Alimentación: +5V ±10%
- Rango de temperatura ambiente (operación): 0°C a +70°C (comercial)
- Temperatura de almacenamiento: -65°C a +150°C
- Todas las señales a niveles TTL
Ideal para aplicaciones de almacenamiento de firmware/código reprogramable en sistemas de bajo consumo, con capacidad de reprogramación mediante borrado UV y compatibilidad con equipos programadores estándar del mercado.
