Memoria EPROM UV Borrable 512 Kbit (64K x 8 Bits), DIP Cerámico 28 Pines, 200 ns — M27C512-20F1
Memoria EPROM organizada como 65,536 posiciones por 8 bits, ideal para aplicaciones que requieren rápido desarrollo y experimentación de patrones de programación. El encapsulado cerámico frit-seal incluye una ventana transparente que permite exponer el chip a luz ultravioleta para borrar el contenido programado y reescribirlo mediante el procedimiento de programación correspondiente.
Características principales:
- Tensión de alimentación en lectura: 5V ±10%
- Consumo bajo en tecnología CMOS: corriente activa de 30 mA, corriente en standby de 100 µA
- Tensión de programación: 12.75V ± 0.25V
- Tiempo de programación total aproximado: 6 segundos, mediante algoritmo PRESTO IIB
- Firma electrónica (Electronic Signature) para identificación automática por equipos programadores: código de fabricante 20h, código de dispositivo 3Dh
- Función de control de dos líneas (Chip Enable / Output Enable) para uso en arreglos de memoria múltiples, minimizando consumo y evitando contención de bus
- Modo standby que reduce la corriente activa de 30 mA a 100 µA
- Todas las entradas a niveles TTL, excepto GVPP y A9 (12V) para modo de firma electrónica
- Versiones disponibles libres de plomo (Lead-Free), conforme a la norma JEDEC J-STD-020B, especificación ST ECOPACK y directiva RoHS
Especificaciones físicas y eléctricas:
- Encapsulado: DIP cerámico frit-seal de 28 pines con ventana para borrado UV (FDIP28W)
- Rango de temperatura ambiente (operación): 0°C a +70°C (comercial)
- Temperatura de almacenamiento: -65°C a +150°C
- Tensión de entrada/salida (excepto A9): -2V a 7V
- Borrado mediante exposición a luz ultravioleta de longitud de onda 2537 Å, con dosis mínima de 15 W·seg/cm², durante 15 a 20 minutos, a una distancia máxima de 2.5 cm de la fuente
Ideal para aplicaciones de desarrollo y prototipado que requieren reprogramación frecuente mediante borrado UV, con compatibilidad hacia equipos programadores estándar del mercado.
