Transistor MOSFET de Canal N 100V 33A TO-220 — IRF540N
Transistor MOSFET de canal N, encapsulado en TO-220, diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia que requieren alta corriente y conmutación rápida. Cumple con la directiva RoHS.
Características principales:
- Voltaje Drenaje-Fuente (VDS): 100V
- Corriente de Drenaje (ID): 33A (a VGS=10V)
- Resistencia Drenaje-Fuente en encendido (RDS(ON)): menor a 44 mΩ (a VGS=10V)
- Conmutación rápida (Fast Switching)
- Cumplimiento RoHS
Clasificaciones máximas absolutas (Ta=25°C):
- Voltaje Drenaje-Fuente (VDS): 100V
- Voltaje Compuerta-Fuente (VGS): ±20V
- Corriente continua de drenaje: 33A (Ta=25°C) / 23A (Ta=70°C)
- Corriente de drenaje pulsada (IDM): 110A
- Corriente de avalancha (IAR): 16A
- Energía de avalancha repetitiva (EAR): 13 mJ
- dv/dt de recuperación de diodo pico: 7 V/ns
- Disipación de potencia (PD, Tc=25°C): 130W
- Factor de derrateo lineal: 0.87
- Resistencia térmica, unión-ambiente (RTHJA): 40°C/W
- Resistencia térmica, unión-carcasa (RTHJC): 1.15°C/W
- Temperatura de unión (TJ): 175°C
- Rango de temperatura de operación y almacenamiento: -55°C a +150°C
Características eléctricas (Ta=25°C):
- Voltaje de ruptura Drenaje-Fuente (VDSS): mínimo 100V
- Corriente de fuga Drenaje con compuerta a cero (IDSS): máx. 25 µA (VDS=100V, VGS=0V)
- Corriente de fuga Compuerta-Cuerpo (IGSS): máx. ±100 nA
- Voltaje umbral de compuerta (VGS(th)): 2 a 4V
- Resistencia estática Drenaje-Fuente en encendido (RDS(ON)): máx. 44 mΩ (VGS=10V, ID=16A)
- Transconductancia directa (gFS): mínimo 21S
Diagrama de pines: 1-Compuerta (Gate), 2-Drenaje (Drain), 3-Fuente (Source).
Solución robusta para aplicaciones de conmutación de potencia, controladores de motores, fuentes de alimentación conmutadas y circuitos que requieren manejo de alta corriente con baja resistencia en encendido.
